恩智浦針對L波段雷達應用推出最高速RF輸出功率器件

　　中國上海， 2008年11月21日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦創建的獨立半導體公司）擴張其業界領先的RF Power 晶體管產品線，近日推出最新的針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS）晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。 

針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體

　　針對大范圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設置了新的效率標準（漏極效率大于50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。 

　　恩智浦半導體RF功率產品線全球產品市場經理Mark Murphy表示：“作為首個推出L波段和S波段應用的LDMOS的公司，恩智浦高效LDMOS RF功率晶體管產品線建立了一個嶄新的業界標準，為我們的客戶提供市場上表現最優異和最耐用的晶體管。RF輸出功率達到500W這個突破，是恩智浦通力合作、貼近客戶需求的結果，使我們推出了可縮短上市時間的易于進行設計導入的晶體管。 

　　恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現參數包括：
　　●500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈沖寬度，25%占空比時） 
　　●17dB增益 
　　●50%漏極效率 
　　●更佳耐用度 
　　●能夠承受高達5dB的過驅動能力 
　　●更佳脈沖頂降 （低于0.2dB） 
　　●供電電壓50V 
　　●無毒封裝、符合ROHS標準  
 
　　恩智浦的這款器件結合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達設計的LDMOS技術優勢，其環保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。 

上市時間 

　　恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率晶體管將很快上市。更多恩智浦BLL6H1214-500的資訊可訪問http://www.nxp.com/pip/BLL6H1214-500_PL_1.html.    

　　欲了解更多恩智浦業界領先的第六代LDMOS技術，請訪問：http://www.nxp.com/experience_rfpower  
 

關于恩智浦半導體

　　恩智浦是飛利浦在50多年前創建的全球領先的半導體公司。公司總部位于歐洲,在全球超過20個國家擁有33,500名員工，2007年公司營業額達到63億美元(包括手機及個人移動通信業務)。恩智浦提供半導體、系統解決方案和軟件,為電視、機頂盒、智能識別應用、手機、汽車以及其他廣泛的電子設備提供更好的感知體驗。關于更多恩智浦的新聞,請參觀網站www.nxp.com。