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上海發(fā)布2009年度集成電路設(shè)計專項項目指南

作者:中國上海網(wǎng)
來源:來源網(wǎng)絡(luò)(侵權(quán)刪)
日期:2009-04-06 09:47:37
摘要:根據(jù)上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要,上海市科學技術(shù)委員會決定發(fā)布2009年度集成電路設(shè)計專項項目指南。本年度專項將以戰(zhàn)略產(chǎn)品開發(fā)為導向,以共性、前沿技術(shù)研發(fā)為突破,重點支持自主創(chuàng)新的集成電路設(shè)計技術(shù),與國內(nèi)超深亞微米與納米級工藝制造技術(shù)發(fā)展聯(lián)動,推進集成電路的應用技術(shù)進步和重點戰(zhàn)略產(chǎn)品的開發(fā)。
    根據(jù)上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要,上海市科學技術(shù)委員會決定發(fā)布2009年度集成電路設(shè)計專項項目指南。本年度專項將以戰(zhàn)略產(chǎn)品開發(fā)為導向,以共性、前沿技術(shù)研發(fā)為突破,重點支持自主創(chuàng)新的集成電路設(shè)計技術(shù),與國內(nèi)超深亞微米與納米級工藝制造技術(shù)發(fā)展聯(lián)動,推進集成電路的應用技術(shù)進步和重點戰(zhàn)略產(chǎn)品的開發(fā)。

    該指南明確將以企業(yè)為主體,以國際主流的65NM及以下CMOS工藝為目標,研發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端核心SoC芯片,實現(xiàn)芯片設(shè)計領(lǐng)域前沿技術(shù)的突破;研究納米級工藝SoC芯片所必需的設(shè)計測試環(huán)境。并明確了兩方面專題的內(nèi)容,其中專題一內(nèi)容為:

    1.基于90NM或以下工藝的高級內(nèi)存緩沖(AMB)芯片的研發(fā),應完全支持JEDEC標準,支持3.2,4.0及4.8 Gbps FB-DIMM信道比特率,正常工作時,功耗小于3.2瓦。

    2.面向移動平臺的三維圖形處理器的研發(fā),應支持全浮點流水線、全場景反鋸齒、統(tǒng)一的可編程著色器架構(gòu)、深度紋理映射等領(lǐng)先技術(shù)。

    3.集成400MHz以上CPU的解碼核心SoC芯片的研發(fā),應支持Linux,WinCE等多種操作系統(tǒng)、支持JPEG、H.264、MPEG-2、MPEG-4、AVS、DIVX、WMV、RealVideo等格式,集成去隔行處理,降噪,高級圖像縮放器(Scalar)等圖像處理功能。

    4.TD-LTE/TD-SCDMA雙模加速固核的研發(fā),開發(fā)全套符合3GPP規(guī)范要求并且適合終端實現(xiàn)的TD-LTE算法,并以固核形式實現(xiàn)關(guān)鍵算法。

    5.面向復雜圖形處理領(lǐng)域的SoC加速驗證方法的研究,建設(shè)百萬門級芯片的仿真硬件加速平臺;研究集成RF芯片測試技術(shù),應用于100Mbit/s到4Gbit/s數(shù)據(jù)率的無線通信、寬帶無線通信系統(tǒng)和高數(shù)據(jù)率交換裝置芯片的測試環(huán)境攻關(guān)。

    6.基于90NM或者以下工藝,精度不低于12bits的高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器IP核技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化。

    7.研發(fā)多標準多頻段射頻調(diào)諧器芯片,調(diào)諧范圍應包括VHF/UHF頻段(42MHz–878MHz)以及L頻段(1450MHz-1492MHz和1660MHz-1690MHz)。

    專題二內(nèi)容為:

    1.研發(fā)SoC安全控制芯片,應具有支持國密算法的身份認證、數(shù)據(jù)內(nèi)容保護功能,低功耗且支持容量大于16G的移動存儲。

    2.研發(fā)高端雙界面智能卡,應具有支持DES、SF33、RSA和SHA1等加密算法,符合EAL4+信息安全評估保證等級論證。

    3.研發(fā)內(nèi)嵌存儲器的可配置藍牙2.0/藍牙3.0芯片。

    4.研發(fā)基于自主知識產(chǎn)權(quán)的MPEG-4、H.264、AVS等多種視頻格式的數(shù)字視頻編、解碼芯片的多路720p/1080p編碼系統(tǒng)解決方案,并對實際應用進行更低成本、更低功耗技術(shù)優(yōu)化。

    5.開發(fā)基于自主知識產(chǎn)權(quán)、適用于3G/WiFi/CMMB環(huán)境的高性能全硬件解碼的音視頻SoC芯片的系統(tǒng)解決方案,并實現(xiàn)應用示范。

    6.特種工藝環(huán)境中關(guān)鍵技術(shù)的研究:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)電力電子器件特種生產(chǎn)工藝的研究;開發(fā)基于高壓工藝的汽車車身集中控制(BCM)專用芯片。

    7.研發(fā)高效率電源管理芯片:應具有寬輸入電壓范圍、低壓控制的PWM/PFM雙模式同步整流功能;支持LCD-TV節(jié)能電源管理的整體電源管理解決方案,產(chǎn)品應符合“EnergystarEPAV3.0”標準。

    指南還明確了研究期限將于2011年9月30日前完成。