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美國威訊聯(lián)合半導體上市功率放大器IC

作者:小笠原 陽介
來源:技術在線
日期:2008-05-04 08:51:35
摘要:美國威訊聯(lián)合半導體(RFMD)上市了面向無線LAN和WiMAX的基站及接入點等的功率放大器IC“SZP-5026Z”。支持4.9G~5.9GHz的無線帶寬。采用基于InGaP類化合物半導體的HBT(Heterojunction bipolar Transistor,異質結雙極型晶體管)技術制造。

  美國威訊聯(lián)合半導體(RFMD)上市了面向無線LAN和WiMAX的基站及接入點等的功率放大器IC“SZP-5026Z”。支持4.9G~5.9GHz的無線帶寬。采用基于InGaP類化合物半導體的HBT(Heterojunction bipolar Transistor,異質結雙極型晶體管)技術制造。   
                                      
  美國威訊聯(lián)合半導體面向無線LAN和WiMAX的基站及接入點等上市的功率放大器IC  “SZP-5026Z”   

  配備2W的AB級放大器??梢宰鳛閃iMAX終端輸出的終級,或置于其前級的驅動放大器使用。輸出功率為+25.5dBm時,EVM(Error Vector Magnitude,誤差矢量幅度)為2.5%。帶寬為5.9GHz時,P1dB(1dB增益壓縮時的輸出功率)為32.5dBm。   

  工作電壓為+3~5V。采用SOF-26封裝。工作溫度范圍為-40~+85℃。具備1kV(人體模型)的ESD(靜電放電)耐受性。現(xiàn)已量產。 

 

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