2×2mm RFID天線在日問世 通信距離10cm以上

【日經BP社報道】日本藤倉、三洋電機和日本Tachyon日前成功地聯合開發出了采用晶圓級封裝（WLP）技術的微波波段RFID片上天線。在日前召開的日本電子信息通信學會（信學會）2005年綜合大會（地點：大阪大學；時間：2005年3月21日～24日）上進行了技術發表。芯片尺寸為2mm見方，天線所占的面積約1.2mm見方，非常小。盡管如此，傳輸距離卻在10cm以上，在片上天線中實現了較長的傳輸距離。

　　現有的RFIC標簽（無線標簽）雖說IC部分僅有1mm～2mm見方，但天線部分卻很大，邊長約10cm左右。這次的片上天線由于是以晶圓級在硅底板上形成的，因此尺寸與IC差不多。由此就能安裝到過去因無線標簽太大而無法安裝的物品上。

　　從天線的性能來說，將一臺讀寫卡器放置在7cm距離處，以300mW的功率發送中心頻率為2.39GHz的電波時具有183μW的電波接收能力。將距離提高到40cm后，電波接收能力為10μW。VSWR（電壓駐波比）在2.39GHz下為1.56。據稱VSWR在2以下的帶寬過去為130MHz。“這次的目標就是使用2.45GHz頻帶的電波，向距離300mm處的設備提供10μW的電力。此目標已經實現”（藤倉）。該公司使用試制天線做了一項在距離10cm處驅動時鐘的實驗，結果證實了時鐘的運行。“很多時鐘利用約10μW的電力即可驅動”（藤倉）。

天線采用雙層結構

　　RFID片上天線過去就有。不過，“原有的片上天線大多是在硅底板上直接形成天線。這樣的話，由于在硅底板內誘發過電流后，天線性能就會受到影響，因此始終無法實現充分的通信距離”（藤倉）。

　　此次利用基于WLP的厚膜樹脂層形成技術，把硅底板與天線分開了。同時還利用雙層結構配置了天線。（記者：野澤 哲生）