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年產500萬顆高功率芯片!一半導體激光芯片廠商完成近2億元A++輪融資

作者:來源網絡(侵權刪)
來源:RFID世界網
日期:2025-03-12 10:28:43
摘要:近日,浙江華辰芯光技術有限公司(以下簡稱“華辰芯光”)宣布完成近2億元人民幣A++輪融資。本輪融資資金主要用于新產品研發和市場拓展。自2021年成立以來,華辰芯光3年完成5輪融資,資金金額高達5億元。
關鍵詞:高功率

近日,浙江華辰芯光技術有限公司(以下簡稱“華辰芯光”)宣布完成近2億元人民幣A++輪融資。本輪融資資金主要用于新產品研發和市場拓展。自2021年成立以來,華辰芯光3年完成5輪融資,資金金額高達5億元。


華辰芯光成立于2021年,專注于高可靠半導體激光器芯片研發制造,針對光電產業鏈高端市場,核心業務為光通信、激光雷達等領域激光芯片設計與制造。公司在江蘇無錫設光芯片FAB制造全資子公司,在浙江衢州設封測子公司。業務聚焦AI、低空經濟、衛星通信等領域,核心產品為邊發射(EEL)和垂直腔面發射(VCSEL)激光產品。目前年產500萬顆高功率芯片,計劃年底增至2000萬顆,并依托自建的6英寸外延、制造及封測能力,與科研院所合作,推動技術升級。


半導體激光芯片產業:

國產化率不足1%的突圍挑戰



半導體激光芯片是光通信骨干網、激光雷達、3D傳感等領域的“心臟”,但其技術壁壘極高,涉及材料、工藝、封裝等多個環節的復雜整合。


據行業數據,我國在電信骨干網可調信號光源、激光雷達泵浦芯片等高端市場的國產化率不足1%,幾乎完全依賴Lumentum、II-VI等歐美日企業。 

這一困境源于兩大核心瓶頸: 


1.制造工藝落后:外延生長(如GaAs、InP材料)和晶圓加工技術長期受制于海外專利封鎖,國內企業多停留在低端芯片代工階段;  


2. 產業鏈割裂:多數廠商采用Fabless模式,設計與制造環節脫節,難以實現性能與成本的優化平衡。  


華辰芯光的IDM模式正是破局關鍵。通過自建6英寸GaAs和4英寸InP混合產線,公司實現了從設計到封測的全流程閉環,將產品開發周期縮短40%,同時通過“無接觸FAB”工藝降低生產成本。這一模式不僅提升了國產芯片的可靠性(如激光雷達芯片壽命突破10萬小時),也為大規模替代進口奠定了基礎。


全球半導體激光芯片市場規模預計將在2028年突破300億美元,而中國作為最大的應用市場,正迎來政策與需求的雙重驅動。  


政策層面:國家“十四五”規劃將光電子器件列為重點攻關領域,地方基金亦加大對IDM企業的扶持;  


需求層面:5G基站建設、自動駕駛激光雷達普及、低空經濟(如無人機物流)等場景催生海量需求。  

小結 



華辰芯光的5輪融資不僅是資本對其技術實力的認可,更是國產半導體激光芯片產業從“跟跑”到“并跑”的縮影。在技術自主與產業鏈協同的驅動下,中國有望在未來5年內將高端激光芯片國產化率提升至20%以上,逐步打破“卡脖子”困局。



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