三星發布直到4nm完整的芯片工藝演進路線圖

　　圖1、三星發布直到4nm的全面完整的芯片工藝演進路線圖

　　三星電子已經宣布了一個全面的芯片鑄造工藝技術演進路線圖，以幫助客戶設計和制造更快，更節能的芯片。從超大型數據中心到物聯網(IoT)，行業所呈現的開發智能的，永遠在線的連接設備的趨勢越來越明顯，這將會使得消費者以新的和強大的方式獲得前所未有的信息。考慮到這一點，三星在其最新的工藝技術公布了業界領先的8nm，7nm，6nm，5nm，4nm以及18nm的FD-SOI的芯片工藝演進路線圖。

　　圖2、連接設備的急劇增加推動了芯片工藝的發展

　　圖3、三星在三星foundry論壇上發布完整的foundry工藝技術演進路線

　　三星在最新的三星foundry論壇上推出的最新foundry工藝技術和解決方案，其中包括：

　　FD-SOI(完全耗盡 - 絕緣體上的硅，Fully Depleted – Silicon on Insulator)：適用于IoT應用，三星將通過結合RF(射頻)和eMRAM(嵌入式磁隨機存取存儲器，embedded Magnetic Random Access Memory)選項逐步將其28FDS技術擴展到更廣泛的平臺中。 18FDS是三星FD-SOI路線圖的下一代工藝節點，具有增強的PPA(電源/性能/面積，Power/Performance/Area)性能。

　　圖4、FD-SOI

　　8LPP(8 nm低功率Plus，8 nm Low Power Plus)：8LPP在生產工藝轉換為EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技術之前，具有最大的競爭優勢。結合三星10nm技術的關鍵工藝流程創新，與10LPP相比，8LPP在性能和門電路密度方面提供了額外的優勢。

　　7LPP(7 nm低功率Plus，7 nm Low Power Plus)：7LPP將是第一個使用EUV光刻解決方案的半導體工藝技術。通過三星和ASML的合作，開發出了250W最大的EUV源功率，這是EUV插入到大量生產中的最重要的里程碑。 EUV光刻技術的部署將打破摩爾定律擴展的障礙，為單一的納米半導體技術的發展鋪平了道路。

　　6LPP(6 nm低功率Plus，6 nm Low Power Plus)：6LPP將采用三星獨特的智能縮放(Smart Scaling)解決方案，將其納入基于EUV的7LPP技術之上，可實現更大面積擴展和超低功耗優勢。

　　5LPP(5納米低功率Plus，5 nm Low Power Plus)：5LPP通過實施下一代4LPP工藝生產技術的創新，擴展了FinFET結構的物理尺寸限制，以實現更好的縮放和更低的功耗。

　　4LPP(4 nm低功率Plus)：4LPP將成為下一代器件架構 - MBCFETTM結構(Multi Bridge Channel FET)的第一個實現的產品。 MBCFETTM是三星獨特的GAAFET(Gate All Around FET)技術，它使用Nanosheet器件來克服FinFET架構的物理尺寸和性能限制。

　　圖5、除了智能手機外三星電子還是一個全面的芯片foundry解決方案提供商

　　三星Foundry的先進工藝技術路線圖證明了其客戶和生態系統合作伙伴關系的協同性。包含上述工藝技術將使新設備呈現出爆炸式的增長，并將以前所未有的方式來連接消費者。