Micromem演示用于RFID的MRAM陣列樣片

　 10月12日記者獲悉，經過5年的研發后，MicromemTechnologies公司(MMT)日前宣布，該公司用于射頻識別芯片RFID的MRAM(磁阻隨機存取存儲器)芯片已經接近生產階段。
　　MMT公司顧問Cynthia Kuper聲稱，MMT已具備設計和制造MRAM存儲器單元的能力，Micromem公司研發團隊計劃開發96位存儲陣列，目標瞄準RFID市場的新應用。Kuper表示，MMT當前的技術在微米級規模，并將更進一步減少，以便單元密度更加緊湊。另外，他表示MMT已解決了某些與存儲有關的關鍵瓶頸問題，包括干擾和材料疲勞。
　　據悉，其他廠商也在爭相投入MRAM技術的研發，由前摩托羅拉半導體部門獨立出來的Freescale半導體公司，已推出標準的4MbMRAM產品。根據Freescale表示，該公司已經向部分客戶發布了MRAM樣片。