[供應] Impinj Indy 讀寫器芯片R2000 R500

Indy RFID 讀寫器芯片
Impinj 產品線包括基于Intel公司獲獎技術的 Indy RFID 讀寫器芯片系列。
Indy R2000 RFID 讀寫器芯片—增加功能
Indy R2000 RFID 讀寫器芯片定位于具有挑戰性的RFID 應用. 在以下方面優于 R1000 :
采用載波消除技術，讀取準確性更好、范圍更廣

增加了協議的可配置性和高級無線電接入功能

相位噪聲更低，更符合全球監管標準

提供一種可靠的結構實現各種應用的優化 相干的IQ 解調提供較低RSSI變化、 載波相位以及最佳接收靈敏度
集成的高性能VCO使得具有-126 dBc/Hz階段噪聲的業界能夠輕松應對法規遵從的問題，增加了Rx的靈敏度，以及改善了DRM的操作。

Impinj Indy 讀寫器芯片一覽

R1000
R2000
R500
空氣接口協議
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB,與 PR-ASK傳輸調制方式
密集讀寫器模式 (DRM)
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB, 與 PR-ASK 傳輸調制方式
密集讀寫器模式(DRM)
可配置成其他協議
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C
DSB, SSB,與 PR-ASK傳輸調制方式
密集讀寫器模式 (DRM)
集成功放
可配置. 為高性能應用提供額外的功放支持
可配置. 為高性能應用提供額外的功放支持
可配置. 為高性能應用提供額外的功放支持
調制解調器
可配置數字基帶
可配置數字基帶
可配置數字基帶
工作頻率
840—960 MHz
840—960 MHz
840—960 MHz
封裝
56針 8 mm2 QFN
64針 9 mm2 QFN
64針 9 mm2 QFN
電源
高級電源管理
高級電源管理
高級電源管理
處理器
0.18μ SiGe BiCMOS
0.18μ SiGe BiCMOS
0.18μ SiGe BiCMOS
RSSI
可配置
可配置
可配置
靈敏度
-95 dBm (DRM)
-110 dBm (LBT)
-70 dBm (DRM with a 10 dBm carrier at Rx port
-95 dBm (DRM)
-110 dBm (LBT)
-82 dBm (DRM) with a 10 dBm carrier at Rx port
-68 dBm (DRM)
發送相位噪聲
(在 250 KHz offset)
-116 dBm/Hz
-126 dBm/Hz
-126 dBm/Hz
支持區域
美國, 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規范其他區域

歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規范的地區,附帶或不附帶 LBT

中國, 印度, 日本，韓國, 馬來西亞, 臺灣地區
美國, 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規范其他區域

歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規范的地區,附帶或不附帶 LBT

中國, 印度, 日本，韓國, 馬來西亞, 臺灣地區
美國, 加拿大與其他符合 U.S. FCC Part 15 規范其他區域

歐洲及其他符合ETSI EN 302 208規范的地區,附帶或不附帶 LBT

中國, 印度, 日本，韓國, 馬來西亞, 臺灣地區